近期，由長(cháng)晶科技承擔的江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計劃項目“低功耗高可靠超結MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”順利通過(guò)江蘇省科技廳驗收。

項目驗收委員會(huì )圍繞項目研究?jì)热?、指標完成情況、關(guān)鍵技術(shù)、創(chuàng )新之處、項目成效和經(jīng)費使用情況等方面進(jìn)行了全面核查，并審閱相關(guān)資料，經(jīng)現場(chǎng)質(zhì)詢(xún)、討論后一致認為，該項目已完成規定指標，經(jīng)費使用合理，同意通過(guò)驗收。

“低功耗高可靠超結MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項目由長(cháng)晶科技牽頭，聯(lián)合電子科技大學(xué)共同承擔完成。該項目旨在突破超結器件的現有物理極限，并在此基礎上開(kāi)展新結構器件設計與制備技術(shù)、超結器件可靠性問(wèn)題的研究，對于從根本上提升我國的超結MOS技術(shù)水平、通過(guò)自主創(chuàng )新實(shí)現進(jìn)口替代具有重要意義。